半导体的核心技术大全11篇

时间：2023-12-04 09:56:53

绪论：写作既是个人情感的抒发，也是对学术真理的探索，欢迎阅读由发表云整理的11篇半导体的核心技术范文，希望它们能为您的写作提供参考和启发。

半导体的核心技术

篇（1）

拓分析，一向将in-house先进制程视为发展重心的英特尔，愿意敞开心房将业务外包给台积电，透露出英特尔积极拓展营运版图的企图心。特别在面对强调“多样”、“少量”和“Time to Market”三大特色的通信与消费性市场时，如何满足客户各式各样客制化需求及降低生产成本，便成为英特尔必须面对的当务之急，此时找上具有高度制程弹性、经济生产规模和高良率优势的台积电，可说其来有自。

与台积电结盟的好处还不只这些，拓认为英特尔将藉此调整产能，集中火力发展公司核心技术，降低因扩充产能所产生的大量资本支出风险。此外拓也推测，在英特尔有意进军又爱又恨的山寨市场，又想保住“名门大厂”清誉的情况下，可能采取产品线切割方式，将中国山寨市场的相关订单，委由台积电代工生产；除了品牌效应之外，透过台积电OIP平台服务开发不同性质或小规模客户也都是考虑重点。

台积电的如意算盘－霸主地位无人敌

对台积电而言，尽管客户名单早已囊括全球一线大厂，但能够和久攻不下的英特尔合作，更是意义非凡！首先，台积电补齐了CPU代工这条产品线，更可迅速提升包括45nm以下的高阶制程技术和产能利用率，未来在硅智财（IP）发展应用上将更具竞争力。

其次，这项合作案无疑是借着英特尔为台积电专业代工和OIP商业模式“挂保证”，使得“台积电式制造服务业”可望变成全球半导体制造新主流，台积电在半导体产业的地位也更加坚不可摧，未来接获国际大厂委外订单机会大增，可望率先扫除不景气的阴霾，迎接景气春天第一道曙光。台积电独特产业地位加上客户遍布各领域，无疑是全球半导体产业复苏的领头羊，同时也是观察以出口为导向的台湾地区经济发展，最重要先行指标之一。

两强连手全球受惠－复苏号角已响起

篇（2）

形势篇：

技术发展产业爆发式增长需求明显

从全球来看，半导体照明产业已形成以美国、亚洲、欧洲三大区域为主导的三足鼎立的产业分布与竞争格局。随着市场的快速发展，美国、日本、欧洲各主要厂商纷纷扩产，加快抢占市场份额。根据目前全球LED产业发展情况，预测LED照明将使全球照明用电减少一半，2007年起，澳大利亚、加拿大、美国、欧盟、日本及中国台湾等国家和地区已陆续宣布将逐步淘汰白炽灯，发展LED照明成为全球产业的焦点。

中国LED产业起步于20世纪70年代。经过30多年的发展，中国LED产业已初步形成了包括LED外延片的生产、LED芯片的制备、LED芯片的封装以及LED产品应用在内的较为完整的产业链。在“国家半导体照明工程”的推动下，形成了上海、大连、南昌、厦门、深圳、扬州和石家庄七个国家半导体照明工程产业化基地。长三角、珠三角、闽三角以及北方地区则成为中国LED产业发展的聚集地。

《规划》指出，目前我国的半导体照明技术快速发展，正向更高光效、更优良的光品质、更低成本、更可靠、更多功能和更广泛应用的方向推进。半导体照明技术的突飞猛进，有力地促进了半导体照明产业的繁荣进步。目前许多国家都在半导体照明科技方面设置了专项资金，制定了严格的白炽灯淘汰计划，大力扶持本国或本地区的半导体照明产业。同样，我国半导体照明技术和产业在当前情况下具备跨越式发展机会，因为我国的半导体照明需求相对明显。作为人口大国、人均资源小国，解决能耗问题是我国当前形势下首先并且急需解决的问题。半导体照明产业以其资源能耗低、带动系数大、创造效益高等有利因素，理所当然地成为国家和社会的首选。进入十二五以后，人们的生活水平和文化素质都有所提高，半导体照明也越来越符合当代人需求。

目标篇：

产业规模5000亿 80%国产化 3500万吨

《规划》中提出，到2015年，半导体照明行业要实现从基础研究、前沿技术、应用技术到示范应用全创新链的重点技术突破，关键生产设备、重要原材料实现国产化；重点开发新型健康环保的半导体照明标准化、规格化产品，实现大规模的示范应用；建立具有国际先进水平的公共研发、检测和服务平台；完善科技创新和产业发展的政策与服务环境，建成一批试点示范城市和特色产业化基地，培育拥有知名品牌的龙头企业，形成具有国际竞争力的半导体照明产业。

具体说来，技术目标上，产业化白光LED器件的光效要达到国际同期先进水平（150～200lm/W），LED光源/灯具光效达到130lm/w，有机发光二极管（OLED）照明灯具光效达到80lm/W，硅基半导体照明、创新应用、智能化照明系统及解决方案开发等达到世界领先水平，形成核心专利300项；产品目标上，80%以上的芯片实现国产化，大型MOCVD装备、关键原材料实现国产化，形成新型节能、环保及可持续发展的标准化、规格化、系统化应用产品，成本降低至2011年的1/5；产业目标上，产业规模达到5000亿元，培育20～30家掌握核心技术、拥有较多自主知识产权、自主品牌的龙头企业，扶持40～50家创新型高技术企业，建成50个“十城万盏”试点示范城市和20个创新能力强、特色鲜明的产业化基地，完善产业链条，优化产业结构，提高市场占有率，显著提升半导体照明产业的国际竞争力；此外，还要培育和引进一批学科带头人、创新团队和科技创业人才，建立国际化、开放性的国家公共技术研发平台，完善我国半导体照明标准、检测和认证体系，发挥产业技术创新战略联盟的作用，推动产学研用深度结合，切实保障我国半导体照明产业的可持续发展。

《规划》提出，近年来，许多发达国家/地区均安排了专项资金，大力扶持本国或本地区半导体照明技术创新与产业发展。如今，产业发展呈爆发式增长态势，已到了抢占产业制高点的关键时刻。在国家研发投入的持续支援和市场需求的拉动下，中国半导体照明技术和产业具备跨越式发展机会。

根据《规划》，我国半导体照明企业的发展目标非常宏大，产业规模也会随之快速壮大。国家将会着力培养掌握核心技术、拥有较多自主智慧财产权、自主品牌的龙头企业，这样就会促使创新型企业的崛起，与之相适应的特色产业基地、相对完善的产业结构也会随之产生壮大。目前我国半导体产业的国际竞争力仍然不能以世界半导体照明产业大国相提并论，《规划》出台对我国在这方面的核心竞争力会有非常的影响。

到2015年，LED照明产品在通用照明市场的份额达到30%，实现年节电1000亿度，年节约标准煤3500万吨。80%以上的芯片实现国产化，大型MOCVD装备、关键原材料实现国产化，LED产品成本降低至2011年的1/5。

任务篇：

基础研究前沿技术应用技术平台建设环境建设

一是加强基础研究，解决宽禁带衬底上高效率LED芯片的若干基础科学问题，研究高密度载流子注入条件下的束缚激子及其复合机制；探索通信调制功能和LED照明器件相互影响机理。二是加强前沿技术研究。突破白光LED专利壁垒，光效达到国际同期先进水平；研究大尺寸si衬底等白光LED制备技术，加强单芯片白光、紫外发光二极管（UV-LED）、OLED等新的白光照明技术路线研究；突破高光效、高可靠、低成本的核心器件产业化技术；提升LED器件及系统可靠性；实现核心装备和关键配套原材料国产化，提升产业制造水平与盈利能力。三是强化应用技术研究。以抢占创新应用制高点为目标，以工艺创新、系统集成和解决方案为重点，开发高品质、多功能创新型半导体照明产品及系统，实现规模化生产；开发出具有性价比优势的半导体照明产品，替代低效照明产品；开展办公、商业、工业、农业、医疗和智能信息网络等领域的主题创新应用。四是建立共性技术平台。以创新的体制机制建立开放的、国际化的公共研发平台，加强共性关键技术研发；探索以企业为主体，政府、研究机构及公共机构共同参与的技术创新投入与人才激励机制，促进半导体照明前沿技术及产业化共性关键技术的研发与应用，支撑产品的创新应用和产业的可持续发展。五是完善产业发展环境建设。研究测试方法及开发相关测试设备，引导建立检测与质量认证体系，参与国际标准制定；开展知识产权战略研究，提升我国半导体照明产业专利分析和预警能力；积极探索EMC等商业推广模式。通过完善产业发展环境，促进技术研发和产业链构建，支撑示范应用，推动“十城万盏”试点工作顺利实施。

保障篇：

政策引导与产业促进财政支持国际交流人才创新

《规划》最后一项提到的是为达成上述目标和任务所要提供的政策措施。虽然没有透露任何可能投入的具体数字，但是，相关措施无疑在《规划》正式公布后会成为各级政府的施政依据。各级政府在规划的正式颁布后，将有政策的依据推行各种节能补贴，人才引进，国际交流合作及研发投入等对产业的支援性政策。

在政策方面，国家相当重视。《规划》中的虽然没有明确提出政策的名称体系，但是既然明确提出了相关内容，那么半导体照明产业的就具有了依托。我国的半导体照明发展尚处于初级阶段，如何有效的整合有力的国际资源是非常重要的，《规划》中明确提出了加强国际交流的措施，与发达国家互通有无，共同发展。这也从一个侧面反映出，我国将会加大对外资企业半导体节能照明科技的支持引导。人才创新、人才队伍建设是发展半导体照明科技的重中之重，发展技术，人才是关键，《规划》指出，积极引进海外人才，加强国内人才的创新能力建设，从整体上提高从业人员的整体素质和创新能力。

半导体照明产业的发展壮大，需要强大的财政支持，这就要求国家财政给予强有力的物质支持。物质保障是基础，技术研发是核心，而人才培养是关键。因此要想实现半导体照明的飞跃发展，人才创新、技术进步是重中之重。《规划》中明确提到的财政支持、人才创新是真正保证其发展的坚实后盾。

优势篇：

高节能寿命长高新尖

半导体照明，是节能能源。所谓节能能源即为环保无污染，直流驱动，超低功耗（单管0.03～0.06瓦）电光功率转换接近100%，相同照明效果比传统光源节能80%以上。

有人将LED光源称为长寿灯，意为永不熄灭的灯。固体冷光源，环氧树脂封装，灯体内也没有松动的部分，不存在灯丝发光易烧、热沉积、光衰等缺点，使用寿命可达6万到10万小时，比传统光源寿命长10倍以上。LED光源可利用红、绿、蓝三基色原理，在计算机技术控制下使三种颜色具有256级灰度并任意混合，即可产生256×256×256=16777216种颜色，形成不同光色的组合变化，实现丰富多彩的动态效果及各种图像。由于LED光源的光谱中没有紫外线和红外线，既没有热量，也没有辐射，眩光小，而且废弃物可回收，没有污染不含汞元素。由于LED是冷光源，所以可以安全触摸，属于典型的绿色照明光源。与传统光源单调的发光效果相比，LED光源是低压微电子产品，成功融合了计算机技术、网络通信技术、图像处理技术、嵌入式控制技术等，所以亦是数字信息化产品，是半导体光电器件“高新尖”技术，具有在线编程，无限升级，灵活多变的特点。

前景篇：

应用广泛产值巨大产品推广模式或将转变

当前中国半导体产业大而不强，核心竞争力仍有待于进一步提升。对国内企业而言，壮大规模、提高产品质量与技术水平是首要任务，掌握一手的核心技术、培育一流的研发团队对这些企业而言是占有市场份额的制胜法宝。有业内人士指出，目前LED光源仍主要应用在显示屏、背光源等领域，其最大的需求照明市场仍未打开，在全球节能减排以及各国开始逐步禁用白炽灯的背景下，通用照明市场的开启，无疑将成为LED产业发展的又一大亮点。

篇（3）

要了解芯片，首先要明白“集成电路”和“半导体”两个概念。1958年9月12日，在美国德州仪器公司担任工程师的“杰克·基尔比”发明了集成电路的理论模型。1959年，曾师从晶体管发明人之一肖克莱率先创造了掩模版曝光刻蚀方法，发明了今天的集成电路技术。而半导体是一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，常见的有硅、锗、砷化镓等，用于制造芯片。

我们所说的集成电路指的是采用特定的制造工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及元件间的连线，集成制作在一小块硅基半导体晶片上并封装在一个腔壳内，成为具有所需功能的微型器件

芯片是指内含集成电路的半导体基片（最常用的是硅片），是集成电路的物理载体。

二、中国芯片发展现状

目前中国芯片发展现状可用四个词概括：发展很快，落后两代，技术受限，产品低端。

中国芯片制造工艺落后国际同行两代。中国目前只能量产28纳米级芯片，而国外可完成7纳米级产品制造；产能严重不足，50%的芯片依赖进口；同时中国的产能和需求之间结构失配，实际能够生产的产品，与市场需求不匹配；长期的代工模式导致设计能力和制造能力失配、核心技术缺失；投资混乱、研发投入和人才不足等问题，导致中国集成电路产业目前总体还处于“核心技术受制于人、产品处于中低端”的状态，并且在很长的一段时间内无法根本改变。

为什么中国制造不出高端芯片？先要了解芯片制造过程。芯片制造主要分为三大环节：晶圆加工制造、芯片前期加工、芯片后期封装。其中技术难度最大最核心的是芯片前期加工这个环节，分为上百道制程，每道制程都有相应的装备。在这些装备里面，技术难度最大的就是光刻技术。中国半导体技术主要是在第一和第三环节。第二个环节中的技术装备大部分处于空白，所以高端的整个芯片都需要进口。

光刻机精度，芯片制造的卡脖子环节

制约集成电路技术发展的有四大要素：功耗、工艺、成本和设计复杂度，其中光刻机就是一个重中之重，核心技术中的核心。

篇（4）

2006年的德国之夏，四年一度的世界杯足球赛正进行得如火如荼，球场两侧的LED全彩显示屏上，一幕幕栩栩如生的球场画面与阵阵欢呼声交相辉映，形成了一幅声光和谐、绚烂多姿的画面。2008年，北京奥运吸引了全球目光，国家游泳中心“水立方”的外墙，由一万多枚高精度LED灯条组成的“世界幔态LED第一屏”放射出独特光芒，彰显大国魅力。值得称道的是，这些高科技大型显示灯屏和发光材料的核心技术与制造工艺均出自大连的一家民营企业――路明科技集团。

大连路明科技集团成立于1992年，坐落于高新技术企业聚集的大连市高新园区，主营业务涉及半导体发光外延片和芯片、LED发光材料、LED光源、LED照明与显示工程、稀土发光材料及制品等，是国际上同时拥有发光材料和LED芯片两大半导体照明产业核心技术的四家企业之一。近年来，在东北老工业基地振兴的号角声中，路明人抓住机遇，大力实施创新驱动战略，将集团年度销售收入的15%用于创新研发，取得显著成效。目前，集团已拥有国际专利300余项，共承担863计划、863引导计划等国家级科研与产业化项目30余个，先后获得国家技术发明二等奖和国家科技进步二等奖，并被认定为“国家级企业技术中心”、“国家与地方联合建设实验室”、“国家创新型试点企业”、“国家知识产权试点企业”，拥有国内发光材料领域唯一的企业博士后工作站。借助创新的力量，“路明”品牌不但成为国家驰名商标，在国际市场上也创出了中国企业的名头。

始终坚持以自主创新为主的发展战略。核心技术的缺失，是中国人融入经济全球化的潮流之后，面对国际市场竞争时挥之不去的伤痛。上世纪90年代，以国际首创的高效蓄光型自发光材料问世为契机，路明人从仅有的20万元资金起步，开始了不平凡的自主创新历程。在科研人员的努力下，经过一次次的探索和攻关，路明制成了具有开创意义的第一代稀土蓄光发光材料，成功拓展了自发光材料的使用范围，被国际同行誉为世界自发光材料的第三次革命。随后，路明又陆续完成了发光颜料、塑料、陶瓷、玻璃、化纤和发光涂料等多项突破性的自主创新，研制并设计了蓄光发光材料应用的三大体系，路明的企业标准成为欧美发达国家的行业标准，一举奠定了我国在这一领域的国际领先地位。

内引外联，积极推进集成创新。进入新世纪，一场“半导体照明革命”的浪潮开始席卷全球，有专家预测，未来，光电子产业将会取代传统电子产业，成为衡量一个国家经济发展和综合国力的重要标志。路明人敏锐地察觉到市场的新需求，在组织人员进行技改的同时，整合多种创新资源，积极搭建多层次多元化的创新体系，形成集合创新的合力。一方面，他们与大连理工大学等国内著名科研院所和高等学府联合，通过设立博士后流动站等多种形式构筑以市场和企业需求为导向的产学研结合创新平台；另一方面，不惜斥巨资筑巢引凤，聘请来自欧美的顶尖技术团队，大力推进消化吸收再创新。此外，为了进一步提高研发水平，打磨核心技术，路明还并购了在芯片制造技术上处于国际先进水平的美国AXT光电公司，吸纳了其拥有的30多项专利、全套生产设备、50多名以华裔留美博士为主的精英团队。多种形式集成创新结出硕果，目前，路明已拥有半导体照明从上游器件到下游应用的完整产业链条，并在各个关键环节都拥有核心专利技术，形成了完善的知识产权管理体系，是世界上仅有的几家同时拥有发光材料和发光芯片两大半导体照明核心技术的企业之一。

今日的路明人正奔跑在“中国研制”的快车道上，在辽宁老工业基地的大连，一段创新传奇正在精彩上演。

篇（5）

中图分类号：TN305 文章编号：1009-2374（2016）04-0071-02 DOI：10.13535/ki.11-4406/n.2016.04.036

1 概述

半导体设备涂胶显影机是一种将不同工艺制程的机台整合在一起，作为一个整体的制程装备。该设备由载片系统、传送系统和制程系统三部分构成。典型的半导体集束型装备Track机是半导体前道工序设备中黄光区设备之一，其主要功能是光刻胶在晶圆表面的涂敷和显影。随着半导体装备光刻机新技术的发展，光刻机产能也在快速提高，特别是ASML公司的TWINSCAN技术以及未来基于传统TWINSCAN平台的双重曝光等新兴技术的成熟，更进一步提高了光刻机的产能，而涂胶显影设备作为与之协作的连线设备，为了匹配高产能力，半导体生产线也对机器人晶圆传送方法提出了更为严苛的要求。

2 晶圆传送发展历程

晶圆传送方法和集束型装备的布局有很大关系，根据其布局的不同，分为以下两类：

2.1 早期轨道式布局

式中：TPi为单元工艺加工时间;TR为单元间传送时间;Ti为空闲系数。

2.2 改良轨道式布局

早期轨道式装备的产能主要受加工单元布局制约，单元加工时间远大于晶圆传送时间，因此产能瓶颈是单元加工时间，为了平衡单元加工时间，提高主单元的利用率，产生了二代轨道式设备，如图2所示：

产能计算公式：

（2）

式中：TPi为单元工艺加工时间;TR为单元间传送时间;C为一次工作的晶圆数;TPmF为第一片独占设备时间;TPmL为最后一片独占设备时间。

3 复杂型集束设备TRACK的传片结构设计

改良轨道式布局的主单元利用率增加，单个轨道输出产能基本固定，当生产线产能要求很高时，轨道数需要成倍增加，由于是平面设备，空间利用率极低、轨道加工第一片上片和最后一片独占设备时间不能忽略、传送系统效率低下、空闲时间过高等问题突出，因此现在主流设备都采用复杂式布局设备。

复杂型集束设备TRACK，采用立体式设计，传片系统由2个自由度增加到4～5个自由度，可传送单元增加，提高了加工单元的利用率。同时载片系统采用2～4个上片工位，可不间断上片，消除了第一片上片时间带来的产能降低。传片结构如图3所示：

产能计算公式：

（3）

式中：TPi为单元工艺加工时间;TR为单元间传送时间;Tk为调度算法调整系数。

复杂式设备的立体布局，不仅制程单元向堆叠式发展，同时传送系统也由简单线性传送变成了复杂路径择优选择，由于载片系统增加到了4个，每个加工任务（Job）的工艺加工制程顺序由用户配置成加工流程配方（Cluster Recipe），因此传送系统的传送路径选择也必须兼顾多个载片系统同时工作的情况，使得传片的调度必须由专用算法来实现，即传送调度算法。

4 传片调度算法

传片系统调度算法最初产生的目的就是要提高设备使用效率（Uptime，在线时间），提高设备的产能，防止设备发呆情况的发生。

传片调度算法根据不同的机械手（Robot）和缓冲单元（Buffer）确定传送路径，通过循环遍历程序来检查传送路径上的空位，依次进行晶圆配方工艺流程和最佳的传送路径的选择和确定。这种调度算法采用的是实时判断条件、事件/消息驱动的模式，因此又称为实时调度算法。调度流程如图4所示：

其中：“晶圆流片分析”开始分析晶圆工艺配方流程;“最优选择”选择最佳传送路径。“最优选择”即调度算法核心部分。在实时调度算法的基础上，为了满足不同批次工作并行，能得到较好的产能等苛刻情况，增加了单元传送优先级设定、传送时间自优化，机械手取送优先级设定、机械手预移动等方法来提高产能，降低装备应用成本。

5 未来展望

未来的设备研发还在向着更高更多的应用方向发展，对于晶圆产能提高的期望成为客户和工艺共同的目标，进一步地压缩调度算法占用的时间成本，提高调度算法的优化比率，已经是迫切的需求。未来的晶圆传送调度算法，将向着传送时间日志化、显示化、传送路径预生成、传送路径用户自整定的趋势发展。

5.1 传送时间日志化、显示化

晶圆传送调度算法在一个调度周期内的传送时间记录成日志文件，并且将这种日志通过可视的图形方式显示给用户，让用户对特定某次的调度算法有一个直观的认识，这就是调度算法中传送时间的日志化显示化。如图5所示：

图示为具有两个robot、两个工艺单元的集束装备上片过程的传送时间日志文件的图形显示。

5.2 路径预生成

多个传送时间日志文件集合成数据库，在一个调度周期开始前预先根据这些数据库的记录生成传送路径，这种调度周期预生成，预固定的方式，将调度算法由全运算方式更改为查表方式和运算方式的结合，可以节约运算时间，直接提供可借鉴的优化路径选择。结合传送时间日志显示化，能够让用户在生产前就直观地了解到设备中晶圆的传送情况，并且根据数据库记载和当前的情况的对比，可以预测设备的健康状况，确定设备的维护周期和生命周期。另外，由于传送时间日志文件可以应用在同型号的同类设备上，因此这种文件形成的数据库将为设备增添高附加值，提高品牌价值。

5.3 传送路径用户自整定

篇（6）

欧美LED产业缘何领跑

在全球环保、能源危机的巨大压力下，半导体照明已被世界公认为一种健康节能环保的重要途径，各国政府积极给予政策及资金支持，使其企业实现技术突破，加速LED商业化进程。

日本早在1998年就制定了“21世纪光计划”，并在1998-2002年间投入50亿日元开发白光半导体照明LED以及新型半导体材料、衬底、荧光粉和照明灯具。根据日本政府出台的相关政策，2012年之前白炽灯泡必须退出市场，力促LED照明消费量年增长200%以上。此外，日本政府还明确规定2006-2007年间企业或机构使用LED照明装置取代白炽照明装置，可获得投资额130%超额折旧，或者是投资额7%的税率减免。

欧美国家对LED行业的扶持力度也不小。欧盟启动了“用于信息通讯技术与照明设备的高亮度有机发光二极管项目”，投资2000万欧元，有效提高有机发光二极管发光效率。同时，还开展联盟国全面禁止生产、销售白炽灯、荧光灯、节能灯，推广LED照明技术应用发展。

美国联邦政府在2002年启动了“国家半导体照明研究计划”，并纳入“能源法案”，企业可以获得每年5000万美元财政资金支持，10年共计5亿美元的财政资金支持。美国国会对LED照明项目的经费支持从2003年的300万美元上涨到2007年的3000万美元，2009年和2010年经费继续回升。2011、2012年根据经济刺激方案，美国国会为LED照明研发经费分别增加了5000万美元和3780万美元，使得这两年的经费总额接近1.4亿美元。

在政策及资金的大力支持下，日本已是全球LED产业最大的生产国，其发展动向几乎为全球LED产业发展的指南针，而美国及欧洲地区在上游外延及芯片核心技术上具有领先优势。

政策助力中国LED换档提速

由于我国在LED产业上起步较晚，同时在LED核心技术和专利基础上被国外垄断，发展较为缓慢，但随着国家及地方对LED产业的扶持逐渐加大，中国LED产业开始全面进入发展期。

据调查显示，我国从2009年以来先后出台多项政策扶持和鼓励LED产业的发展。2009年4月，国家科技部《关于同意开展“十城万盏”体照明应用工程试点工作的复函》，根据科技部规划，将在50个城市建成200万盏LED路灯。同年9月，国家发改委、科技部等六大部委《半导体照明节能产业发展意见》，该意见提出，大型MOCVD装备、关键原材料以及70%以上的芯片实现国产化，上游芯片规模化生产企业3至5家；产业集中度显著提高，拥有自主品牌、较大市场影响力的骨干龙头企业10家左右；初步建立半导体照明标准体系；到2015年，年均增长率在30%左右，功能性照明市场占有率达到20%左右；液晶背光源达到50%以上，景观装饰等产品市场占有率达到70%以上。

2013年2月，国家发改委、科技部等六大部委《半导体照明节能产业规划》，该规划目标：LED芯片国产化率80%以上，硅基LED芯片取得重要突破。核心器件的发光效率与应用产品的质量达到国际同期先进水平；大型MOCVD装备、关键原材料实现国产化，检测设备国产化率达70%以上。建立具有世界先进水平的研发、检测平台和标准、认证体系；到2015年，60W以上普通照明用白炽灯全部淘汰，市场占有率将降到10%以下，LED功能性照明产品市场占有率达20%以上；LED照明节能产业产值年均增长30%左右，2015年达到4500亿元（其中LED照明应用产品1800亿元；形成10-15家掌握核心技术、拥有较多自主知识产权和知名品牌、质量竞争力强的龙头企业。

同时，国内许多省份基于节能、环保的需求，纷纷提出了“地方版”的LED产业发展政策。

2011年4月，广东省科学技术厅《广东省LED产业发展“十二五”规划》，该规划提出，到2015年，培育1至2家产值达100亿元龙头企业，培育1至2个产值达1000亿元的产业集群，全省LED战略性新兴产业规模突破3000亿元。

2009年，扬州市提出对购买LED将进行补贴。其中，蓝绿光MOCVD31片机及以上，补贴资金可达1000万元/台；红黄光MOCVD38片机及以上，补贴资金可达800万元/台（市、区两级财政各承担50%）。根据测算，扬州光在设备补贴领域就投入了10亿元。

在产品应用方面，深圳市提出，对于参与政府投资项目LED示范工程的企业，根据灯具的价格给予10%的补助，并贴息3年。对承担企业投资项目LED应用示范工程的企业，按照LED灯具价格的30%给予补贴。

业内人士分析认为，随着国家政策支持，财政补贴推广力度加大以及国家、地方政府带头采用LED照明等措施的落实，这对LED企业发展起到了引导作用，同时通过资金扶持也使企业在技术上进行突破，使企业更有信心面对市场竞争，加速中国LED产业的国际化进程。

政策扶持中国LED企业光明可寻

国家优惠政策的连续，同时再以资金及补贴扶持，表明了国家发展节能环保的战略性新兴产业的决心。在政府的积极推动下，中国LED企业正致力于技术创新、创造，研发能力不断提升，并积极通过垂直整合，延伸产业链，发展产业集群，逐渐缩小了与世界传统LED巨头的差距。

我国LED外延材料、芯片制造、器件封装、荧光粉等方面均已显现具有自主技术产权的单元技术，部分核心技术具有原创性，初步形成了从上游材料、中游芯片制备、下游器件封装及集成应用的比较完整的研发与产业体系，为我国LED产业做大做强在一定程度上奠定了基础。目前863项目承担单位已申请专利241项，其中发明专利152项，国外发明专利17项。

篇（7）

以“神六”载人航天飞船、超级杂交稻、高性能计算机、SARS疫苗、量子纠缠等为标志的重大科技成就在十五期间开花结果，一批具有自主创新能力的知名企业和高技术产业集群也迅速崛起。那么在未来五年内，我国的科技又将会取得怎样的发展成果呢？科技部日前公布了《国家“十一五”科学技术发展规划》(以下简称《规划》)，这份规划的出台对我国未来科学技术的发展具有重要的指导意义，同时也与企业运营发展息息相关。

在科学发展观的统领下，始终坚持自主创新的主线，在发展目标、重点部署上均做到自主创新，建立以企业为主体、市场为导向、产学研相结合的技术创新体系，这是科技规划的主线。

在这条主线的引导下，我国科技工作将重点在“发挥科技支撑与引领作用”和“加强科技创新能力与制度建设”两个方面进行战略部署，集中力量组织实施一批国民经济和社会发展急需的、基础较好的重大专项。围绕国家发展的重大战略需求，《规划》提出的十三项“十一五”期间重大专项重点实施的内容和目标中，前三项均与信息产业有关。我们期待IT企业能够把握国家的政策措施，攻克一批具有全局性、带动性的重大关键技术，开发一批世界先进水平的重大战略产品和技术系统，从而成为具有国际竞争力的企业，带动IT产业成为战略性产业，进而提高我国的国际地位。

重大专项之一：核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品

实施目标：

重点研究开发微波毫米波器件、高端通用芯片、操作系统、数据库管理系统和中间件为核心的基础软件产品，提高计算机和网络应用、国家安全等领域整机系统产品和基础软件产品的自主知识产权拥有量和自主品牌的市场占有率。

解读：

芯片产业是国家发展中公认的战略性产业，而全球领先的十大芯片企业如英特尔、AMD等主要集中在美国，随后是日、韩和欧洲。近年来，我国芯片产业虽然取得了一定的发展，但是仍然需要加强芯片核心技术方面的能力。我国芯片产业的快速增长主要应该以芯片产品的自主创新为突破口，通过自主设计开发芯片产品，掌握核心技术，拥有自主知识产权，实现规模化生产，从而提升国际竞争力。

我国软件产业近几年来的增长态势一直良好，产业结构及产业布局得到调整，产品门类不断增多，软件出口稳步增长，已成为拉动整个电子信息产业快速增长的重要力量。在国内四大基础软件中，中间件的发展最为喜人，目前已经应用于金融、邮电、能源、交通、政府等行业。我国自主研发的GIS系统在功能和性能上已经接近国际领先水平，某些性能指标甚至优于国外优秀软件。然而，技术上的突破并没有改变国产软件在市场上的弱势地位。一直以来，核心技术的缺乏影响着我国信息产业的标准制定和竞争力提高。根据2005年统计数据显示，中国基础软件和中间件的收入为483.2亿元，占全部软件业务收入的12.4%，其中基础软件349.5亿元，中间件软件收入133.7亿元，占全部软件收入的3.4%。需要特别指出的是，2005年我国通用操作系统软件收入仅有7.5亿元，而进口的通用操作系统软件竟达80亿美元左右。以上数据进一步说明，中国软件企业的核心竞争力还相当薄弱，研发水平还有待进一步提高。《规划》的出台将促进我国在核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品方面的进一步发展，做大做强一部分国有企业。

重大专项之二：极大规模集成电路制造装备及成套工艺

实施目标：

重点实现90纳米制造装备产品化，若干关键技术和元部件国产化；研究开发出65纳米制造装备样机；突破45纳米以下若干关键技术，攻克若干项极大规模集成电路制造核心技术、共性技术，初步建立我国集成电路制造产业创新体系。

解读：

凭借巨大的市场需求、较低的生产成本、丰富的人力资源，以及稳定的经济发展和优越的政策扶持等众多优势条件，近几年，我国集成电路产业取得了飞速发展，成为全球半导体产业关注的焦点。据统计，2005年集成电路市场占到了我国半导体市场的83.9%。由集成电路产业带动下的计算机、通信、消费类电子以及计算机国际互联网的广泛应用?熏孕育了大量的新兴产业，为我国国民经济的持续、快速发展注入了新的活力。我国目前的产能供应能力还远不能满足国内市场对集成电路的巨大需求，尤其是自主开发的芯片还不能满足我国市场的需求，很多高端的产品，尤其是在产品设计方面，还要依靠欧美、日本等。目前，我国的企业像华为、中兴通信、海信、联想等已经将原来的半导体部门分立出来，或者形成了一个独立的半导体公司，来研发具有自主知识产权的产品，而在《规划》引导下，在未来将有更多的国内企业加大研发投入，通过拥有自主知识产权的方式增加我国企业的竞争力。

重大专项之三：新一代宽带无线移动通信网

实施目标：

在未来的五年内我国要研制具有海量通信能力的新一代宽带蜂窝移动通信系统、低成本广泛覆盖的宽带无线通信接入系统、近短距离无线互联系统与传感器网络，掌握关键技术，显著提高我国在国际主流技术标准中所涉及的知识产权占有比例，加大科技成果的商业应用，形成超过1000亿元的产值。

解读：

数据显示，截至2006年2月底，中国移动电话用户已超过4亿，占全球移动电话用户总数的20%，中国已成为全球移动通信产业发展最快的国家。目前，第三代移动通信技术始终是备受瞩目的热点，而推动第三代移动通信技术的应用将会对中国通信产业的发展起到重要作用。日前中国自主研发的标准TD-SCDMA已经在我国北京、上海、厦门、保定、青岛等城市进行放号测试。

篇（8）

事件缘由

中美关于集成电路增值税问题的争端始于今年3月18日。该日，美国贸易代表佐立克宣布，美国政府于当日正式向世界贸易组织提出申诉，指控中国对进口的半导体产品征收歧视性关税，认为此种做法违背了世界贸易组织的规则，损害了美国半导体行业的出口。这是中国2001年加入世界贸易组织以来，美国第一次向该组织指控中国。

美国的此番指控是基于我国政府对集成电路产业的产业扶持政策。2000年6月24日，为支持中国半导体产业在十年左右的时间里成为在国内占主导和在国际市场上占有一席之地的优势产业，我国政府颁布了《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》的文件，即“18号文件”。

该文件的第41条规定：芯片生产企业2010年前按17％的法定税率征收增值税，对实际税负超过6％的部分即征即退。芯片设计企业获得的优惠更多，实际税负超过3％的部分即征即退。美国认为这一政策与WTO的国民待遇原则相违背，并提出中国在进口其他国家集成电路产品的时候，要按3％的税率计征进口环节增值税，让国外企业获得与中国企业的同等待遇。

对国内芯片产业的支持政策，使美国、日本和欧盟认为国内厂商得到了很大一部分退税，而进口到中国市场的其他国家或地区企业的产品因无法享受这样的优惠，在价格上失去竞争力。

中美两国就这一问题从2003年开始就频繁磋商，但始终未能达成一致。直至今年3月，美国就这一问题正式申诉到世界贸易组织。

阵痛中的企业

中美就集成电路增值税问题达成谅解后，中国的半导体企业将于明年4月1日后不再享受退税政策，中芯国际、华虹NEC、中星微、上海先进半导体等半导体企业虽然对于此次变动没有作出明确评价，但是，嗅觉敏锐的市场已经作出了一定程度的回答；在中美两国政府就集成电路增值税问题达成谅解后，中芯国际的股价持续下跌，已经逼近其历史最低点。7月9日开盘不久，中芯国际在香港股市即跌至1.56港元，后收盘于1.60港元，勉强维持在1.59元的历史最低点之上。

中国的半导体企业失去了这一政策支持，无疑将经受重大影响。虽然退税政策的取消是迟早要来临的，但是中美谅解的达成还是把中国的半导体企业进一步推向了世界。

熟悉我国半导体产业的人都知道，我国半导体产业处于幼稚产业状态。我国的半导体企业规模小，2002年我国集成电路产能仅占世界集成电路产能的2.5％，只有少数几家企业的营业额超过亿元人民币。创新能力弱是我国集成电路企业的又一大弊端。缺乏高附加值的核心技术严重制约了我国企业的发展壮大。

但也有专家认为，此次退税政策的取消对企业影响也许没有想象中的大。厦门大学国际贸易系郑甘澍教授认为，按照目前的出口退税政策，众多的中国半导体企业实际上很难享受到目前的退税政策，因此对企业的影响也不大；再者，早日让中国半导体企业面向世界更有利于我国半导体产业的发展。

我国半导体产业的出路

2003年，我国信息产业销售量达18800亿元，信息产业已经成为我国的第一大支柱产业，但是如此大的产值中组装占了相当一大部分，而真正属于高附加值的核心技术却是非常薄弱。从这方面看，我国的半导体产业尚处于幼稚产业状态，此番出口退税政策的取消或多或少会对我国的半导体产业有所冲击。

但是半导体产业必定要成长为我国的真正的支柱产业，退税政策的取消不意味着我国将不再扶持该产业。据业界相关官员称，我国将出台一些新的、更加有力的措施来扶持我国半导体产业的发展，比如在研发费用方面给予一定的税收优惠等等，当然，这些措施要更加符合世界贸易组织的相关规定，以避免类似事件的发生。

除了政府的政策性扶持外，我国政府和半导体企业还应该做好以下工作：

首先，政府各相关部门要做好为企业服务的工作。一方面政府各部门做好协调工作，为各个企业做好服务工作；另一方面，政府部门要成为各个企业的联系纽带。鼓励企业相互加强竞争，同时鼓励企业之间的并购，促进企业做大做强。

其次，各个半导体企业要加强核心技术的研发。芯片设计是半导体产业的核心所在，目前我国的半导体企业普遍在这方面比较薄弱。在加强芯片设计能力的同时，要提高芯片制造能力。制造能力的提高只要有相应的投资不难办到，但是芯片设计能力的提高不仅仅是一个投资的问题，更重要的是要有高素质的人才。

如此，我国的半导体产业才会形成竞争优势，进而提升我国的国家竞争优势。

篇（9）

公司是中物院重点民企业，拥有一大批技术力量。公司核心技术为吡啶类化合物催化氯化、氨化、氟化等关键性技术，亦是继美国陶氏之后最先掌握氯代吡啶类除草剂工业化生产技术的企业。得益于其核心技术，公司原药毛利率保持在45%-50%，远高于行业30%左右的毛利水平；净资产收益率亦在60%以上。灵台三种吡啶类除草剂原药在毛利中占比76%、制剂在毛利占比中约20%,是公司收入和毛利的主要来源。本次募投的杀菌剂丙环唑、氟环唑，杀虫剂毒死蜱，除草剂草铵膦将主要在2009年上半年建成投产，届时公司产品结构将更丰富，盈利结构趋于多元。本次募集资金主要投向于杀菌剂丙环唑、氟环唑，杀虫剂毒死蜱，除草剂草铵膦的项目技改。完全达产可贡献利润1.4亿元。

申银万国分析师周小波预计公司08-10年完全摊薄EPS分别为0.81元、0.94元和1.16元。考虑目前市场及行业估值水平、中小板新股溢价，分析师认为公司定价可给予08年25倍PE的相对估值，对应合理价值20元。

立立电子（002257）上海证券

篇（10）

随着经济全球化进程不断推进，不同国家和地区参与到同一产品的生产过程中来，分别参与了价值链中不同层次、不同环节、不同阶段的生产过程，其中最典型的就是信息技术产业。信息产品的生产链条长、环节多、价值差异大、技术密集和劳动密集同时存在，信息技术产业也成为全球化程度最高的产业之一。信息产业价值链是产业链的价值体现，根据分工不同，国际信息产业逐渐分出来三大阵营:第一阵营是美国。美国基本占据着信息产业高端，控制着大多数标准制定、拥有高端品牌、控制高端技术及知识产权，美国具有最全的信息核心技术链，从原材料、设备、微电子集成电路到整机、系统等均不同程度控制着，美国相关企业、大学信息技术原始创新能力极强，新产品、新业态、新模式不断涌现，往往获取了最多的利益。第二阵营是部分欧洲国家、日本、韩国。这些国家紧随美国之后，较早进行了信息技术和产业发展，承接了部分中高端产业转移，具有明显先发优势。例如荷兰、德国在光刻机等高端集成电路制造装备占据绝对优势，日本的制造装备、集成电路、元器件、消费电子等十分发达，而韩国由于其体量较小，发展了具有独特优势的高端制造产业，但其在存储产业、电子显示产业方面独具优势。第三阵营是部分发展中国家。具有劳动力资源和成本优势的发展中国家通常处于产业价值链的低端，主要从事一般元器件的生产以及较为简单的加工组装工作。例如，中国多年来是全球电子信息产品的制造大国，但由于核心技术能力缺失，在很多行业内基本只能承接低端组装等分。随着国际技术转移，信息产业国际分工体系逐渐变化，中高低端的界限变得模糊，欧洲、日本、韩国等国家发挥优势集中突破，也发展出部分高端产业，与美国形成互补关系，例如韩国的存储和显示产业，欧洲的5G通信业等。经过国家引导和市场发力，我国部分行业也走向中高端，例如华为、中兴、曙光等信息技术企业在手机终端、网络设备等方面，正在国际市场上处于迈向高端水平。

2基于国际比较分析的信息领域核心技术创新模式研究

美国是信息技术和产业最早发端和综合实力最强的国家，2016年美国电子信息产业市场规模约为4388亿美元，占全球电子信息产业市场规模的23!。美国电子信息产业链布局齐全、技术创新能力高、核心竞争力强、标准话语权重、品牌效应突出。美国政府、军方在信息产业发展中发挥了关键作用。虽然美国一向秉承自由经济，但对于信息技术和产业而言，发展历程并不完全是受市场支配，美国政府、军方等国家部门发挥了关键作用。一是军事需求驱动信息技术原始创新，市场需求推动信息产业高速发展。信息产业发展早期，集成电路和计算机等是非常昂贵的产品，因此主要用于军事应用，并主要受军事需求的牵引。二是根据需要不断从国家战略高度适时出台有效政策，引导和激励技术创新及产业发展。在美国信息产业发展史上，政府其实扮演了重要角色。三是为维持美国信息技术产业领先地位出台保护性政策。通过高关税、建设基础设施等措施保护本国纺织、钢铁等支柱工业，同时注重差别关税，对本国不生产的咖啡与茶叶等进口产品予免税或减税。与美国相比，日本、韩国信息产业发展起步相对较晚，从承接美国转移出去的产业环节开始，注重模仿创新、集成创新，逐步发展壮大，并形成了各自特色。相较于领先的美国半导体业而言，日本和韩国的半导体产业都是后发的追赶者，但是日本在20世纪80年代成功地赶超了美国;韩国通过大力扶植三星等龙头企业，在90年代也成功地实现了赶超，并至今日仍掌控着全球半导体存储产业和集成电路制造业的高端。德国的科技水平始终位居全球领先水平，是一个科技强国，德国的汽车工业特别发达，制造的数控机床和各种机器设备技术和质量都位居全球领先地位，德国能长期屹立于世界核心技术之林，关键在于德国能与时俱进，不断创新，并且坚持走专业化、技术型道路，牢牢守住全球产业链中的高端地位，大力树立“德国制造”这一块象征着优质、高效和创新的全球金字招牌，保持产品的竞争力。

3中国高端芯片技术创新现状和环境分析

由于集成电路行业技术发展日新月异，国际国内环境变化速度加快，因此文中对中国高端芯片技术创新现状和环境进行分析，得出的内部优势和劣势、外部机遇和挑战，继而研究新时期中国高端芯片技术自主创新模式。市场和政策双重驱动产业实现高速增长，未来产业增长动力持续增强。中国已成为电子信息产品全球最大的市场，市场体量只有美国与之接近，同时中国电子信息产业发展已成为全球信息产业发展的重要动力。中国的电子信息产业增长，与近年来中国相关政策激励分不开。随着5G全球竞争白热化，中国华为、移动等龙头企业意在抢占相关行业制高点，在5G基带芯片和射频器件方面投入加大，也将带动相关技术发展。在“大众创业、万众创新”导向下，中国大力发展移动智能终端、网络通信、云计算、大数据、智能硬件等多层次硬件创新，创造了新的市场需求，也是集成电路行业发展新的重要动力。特别值得注意的是，中国近年来提高了对信息安全的重视，提出了建立自主可控的信息技术和产业体系的要求，近年来一系列产业政策均是在这一方针指引下做出的，可以说，对安全的要求更高，也是中国大力自主发展信息产业，特别是核心的集成电路产业的重要因素。可以预计到2030年，在中国市场需求和国家政策的双创驱动下，中国的信息产业及集成电路产业未来产业增长动力持续增强，成为带动相关核心技术发展的重要因素。产业整体仍处于价值链中低端，高端芯片自给率低，供应链“命门”掌握在别人手里，中国企业不足与国际龙头企业抗衡。虽然近年来中国集成电路行业发展势头良好，但由于起步晚、技术发展难度大、国外壁垒较难突破等原因，中国集成电路特别是高端芯片的关键核心技术仍有缺失，芯片自主率低，进口额维持高位。核心环节关键技术差距仍有2～3代，技术创新缺乏软硬件生态体系支撑。受西方国家限制对中国高技术出口的“瓦森纳协定”等制约，中国集成电路制造设备和技术始终落后国际水平2～3个技术节点，高端光刻设备、关键封测设备及SiC等三代半导体材料仍基本依赖多种方式引进(如引进二手、落后设备)。在核心技术方面，CPU、FPGA、DSP和存储器等核心技术虽早有自主研发企业，但未能有所突破，缺乏软硬件生态体系支撑。即便如此，全球集成电路技术创新放缓带来追赶超越机遇是在工艺节点进入10nm以后，业界基本放弃追赶摩尔定律，国际企业和研究机构试图通过多种技术路线，延续、超越摩尔定律，实际上技术创新步伐趋缓，这给中国集成电路追赶提供了较好契机。国际巨头企业战略重心转移，国际合作层次不断提升。中国拥有全世界最大、增长最快的集成电路市场，国际地位日益突出，国际集成电路企业为争夺中国市场，纷纷谋求与中国企业进行合作，以更加贴近中国市场需求和优化资源配置。破坏性、颠覆性创新带来发展新机遇。拓展摩尔定律、超越摩尔定律等技术路线不断深入推进，特别是深度学习等人工智能技术发展对高端芯片的影响巨大，IBM、谷歌、Intel等巨头纷纷研究专门用于处理人工智能算法和数据的芯片，IBM推出“真北”芯片，谷歌推出TPU，中国寒武纪公司也推出了深度学习芯片。中国高端芯片的发展还面临着美国不断的加强外国投资委员会职权，重点加强对中国的审查和遏制力度，高度警惕中国资本渗透其半导体、人工智能等前沿技术领域的挑战。近年来，美国以威胁美“国家安全”为由，多次不予审批涉中国背景的公司正常商业活动。传统国际集成电路巨头企业在长期发展中，特别注重对自身知识产权的保护，并且经常利用专利战来达到经营目的，例如苹果和高通的专利战。

篇（11）

指南修改建议征集工作的通知

各设区市科技局，国家高新区管委会，省产业技术研究院、省产业技术创新战略联盟，有关单位：

为贯彻落实省委省政府高质量发展要求，加快推进战略高技术部署和前瞻性新兴产业发展，着力构建自主可控现代产业体系，现面向全省开展2021年度省重点研发计划（产业前瞻与关键核心技术）重大研发需求及指南修改建议征集，有关事项通知如下：

一、重大研发需求征集

本次重大研发需求征集主要面向新材料、人工智能、集成电路、高端装备等我省优势领域和前沿领域，聚焦制约我省自主可控现代产业体系建设的关键材料、重大装备和核心技术，梳理一批省内企业亟需通过技术攻关予以破题和解决的重大研发需求，作为今后计划项目组织实施的重点方向予以优先部署。各企业提交的重大研发需求应目标明确、场景清晰、参数具体，并从以下几方面进行说明。

1、问题描述。说明期望通过技术创新解决的具体技术瓶颈和技术难题，要求内容具体、指向清晰，有明确的性能参数指标，并充分描述说明现实应用场景，并包括自然条件、工况环境、成本约束等边界条件。

2、研发意义。从打破国外技术垄断、构建自主可控产业链、服务国家重大战略实施、提升产业核心竞争力等角度，结合本行业、本企业的实际情况，说明开展研发攻关的重要意义。

3、研发建议。如已形成较为成熟的思考，可提出具体建议，如可能的技术路径、技术方案要点，以及推荐牵头实施的单位或专家（不局限于省内）等。

二、指南修改建议

1、加强战略高技术部署，聚焦我省重点培育的战略性新兴产业和先进制造业集群，进一步凝练需求、突出重点，对现有省重点研发计划（产业前瞻与关键核心技术）指南产业前瞻技术研发领域技术方向进行增补完善，提出具体修改意见。新增技术方向需附说明材料，已有技术方向可以提出调整或删除建议，并简要说明理由。技术方向增补完善突出以下三点：

（1）对接国家科技创新有关规划部署，结合地方资源禀赋和产业基础，重点增加本地区有条件及优势进行布局，有望在近年内获得重大突破，引领未来产业发展，且现有指南未涵盖的前瞻技术方向。

（2）聚焦地方优势产业整体提升及产业转型升级要求，以提高技术供给质量为重点，对现有关键核心技术攻关等领域的技术方向进行增补完善，重点增加完善地方及产业发展亟需突破的关键核心技术方向，提高指南技术方向与我省产业发展需求的契合度，强化科技对产业高端攀升的支撑作用。

（3）注重技术方向的有效性，对属于陈旧、淘汰的技术方向，或与现行产业发展趋势明显不匹配的技术方向，可建议删除。

2、请各设区市科技局、国家高新区管委会，围绕产业前瞻技术研发方向，结合当地特色战略性新兴产业发展需求，加强2021年重点项目的前期组织，依托省级以上重大创新平台、产业技术创新战略联盟和创新型领军企业，组织产业链上下游相关单位，以加快产业前瞻技术研发为主攻方向，科学凝练项目主题，遴选出共识度高、前期基础好的重点项目建议。

（1）充分发挥产业技术创新战略联盟的创新组织作用，在广泛调研的基础上，由联盟技术委员会组织研发实力强、创新水平高的联盟成员单位及产业链上下游相关单位，研究凝练项目主题，提出重点项目建议。

（2）加大跨区域资源整合力度，围绕地方最有条件、最具优势的领域，由龙头骨干企业根据产业发展的前瞻技术方向，在全国范围内吸引行业内一流高校科研院所参与合作，以形成重大标志性原创成果为目标，凝练项目主题，提出重点项目建议。

（3）充分对接国家重点研发计划以及科技创新2030—重大项目，围绕国家重大战略需求和重点产业的关键技术瓶颈，加强重点项目组织和谋划，为后续申报国家重点专项培育优质项目源；围绕我省已承担的国家重大项目，以支撑专项实施和推动成果落地为目标，组织优势单位对相关配套技术及装备开展针对性研制，凝练项目主题，提出重点项目建议，为推动国家重大科技成果在江苏落地奠定基础。

重点项目建议每个设区市科技局、国家高新区管委会限报8项。

三、其他事项

请各单位根据通知要求，提出指南修改建议及重大研发需求，并按附件格式和要求填报相关材料，加盖公章后于11月20日前由各设区市科技局汇总报至省科技厅高新处，同时将电子版发送至jskjtgxc@163.com。

联系人：施笑南张竞博

联系方式：025-83363239 83379768

附件：1、2020年度省重点研发计划（产业前瞻与关键核心

技术）项目指南

江苏省科学技术厅

2020年10月30日

附件1

2020年度省重点研发计划（产业前瞻

与关键核心技术）项目指南

省重点研发计划（产业前瞻与关键核心技术）以形成具有自主知识产权的重大创新性技术为目标，开展产业前瞻性技术研发、重大关键核心技术攻关，抢占产业技术竞争制高点，引领我省战略性新兴产业培育和高新技术产业向中高端攀升，为加快构建自主可控现代产业体系提供有力科技支撑。

一、产业前瞻技术研发

本类项目重点支持对战略性新兴产业培育具有较强带动性的产业前瞻技术，提升产业技术原始创新能力，引领新兴产业创新发展。

1．定向择优任务专题

1011高质量大尺寸（6英寸及以上）第三代半导体材料制备技术

研究内容：开展硅基和碳化硅基的大尺寸（6英寸及以上）氮化镓材料外延生长技术研究；开展大尺寸氮化镓单晶材料的生长技术研究；实现氮化镓材料的电学性能调控，针对光电子和微电子应用，分别实现高电子迁移率、半绝缘和低电阻率的氮化镓材料制备，并完成相关器件的性能验证，支撑第三代半导体产业的创新发展。

考核指标：（1）实现6英寸、8英寸硅衬底上高质量氮化镓基外延材料生产，位错密度达到107cm－2量级，翘曲度<30 um，AlGaN/GaN异质结二维电子气浓度>9E12cm-2，迁移率>2200cm2/V·s。

（2）实现6英寸氮化镓单晶衬底制备，衬底TTV<20 um，表面RMS<0.3nm，厚度>600 um，位错密度达到105cm－2量级，电阻率在0.01～109Ω.cm可调控。

1012 T1100及以上碳纤维材料制备技术研发

研究内容：开展T1100及以上级别的新一代碳纤维制备技术研究，突破T1100高品质原丝纺制技术、均质化预氧化碳化等关键技术，研发大通道外热式预氧化炉、宽幅高温碳化炉等关键生产装备。

考核指标：拉伸强度≥7000MPa，拉伸模量≥324GPa，批次内离散系数≤3%，批次间离散系数≤5%，断裂伸长率≥1.9%，含碳量≥95%，纤维直径≥5um，纤维规格≥12K。

2．高端芯片

1021 基于RISC-V架构CPU及第三方IP研发集成、微控制单元（MCU）、数字信号处理（DSP）、5G通信用射频芯片等高端芯片的设计技术和电子设计自动化（EDA）的平台设计技术

1022 高压功率集成电路、新一代功率半导体器件及模块等先进制备工艺及装备制造技术

1023 多芯片板级扇出（Fanout）封装、多芯片系统集成（SiP）封装、三维封装等先进封装测试技术

1024 大尺寸低缺陷高纯度单晶硅片、高功率密度封装及散热材料、高纯度化学试剂、高端光刻胶等关键材料制备技术

3．纳米及先进碳材料

1031 新型纳米传感器等微纳器件和纳米改性金属、二维纳米材料等新型纳米结构、功能材料制造与应用技术

1032 氮化镓、碳化硅等第三代半导体器件制备与应用关键技术

1033 大丝束等碳纤维低成本制备及复合材料设计应用技术

1034 高品质石墨烯宏量制备技术及改性、跨界应用技术

4．区块链

1041 共识算法、智能合约等区块链核心算法、开源软件及硬件

1042 高性能分布式存储、区块数据、时间戳等区块链存储核心技术

1043 非对称加密、多方安全计算、可信数据网络、隐私保护、轻量级密码等区块链加密核心技术

1044 区块链金融、区块链溯源、区块链物流、区块链数据共享等区块链应用技术

5．人工智能

1051 无监督学习、神经网络、类脑计算、认知计算等核心技术及软件

1052 AI视觉算法、自适应感知、新型交互模态、AI开源软件等应用关键技术、软件及系统

1053 嵌入式人工智能芯片、神经网络芯片、图形处理器（GPU）芯片等人工智能专用硬件和模组制造技术

1054 智能脑机接口、智能假肢、智能可穿戴设备等可移动智能终端关键技术

6．未来网络与通信

1061 多网络协同组织、可软件定义多模式无线网络、边缘环境网络功能虚拟化等新型网络关键技术与设备制造技术

1062 6G移动通信、毫米波与太赫兹无线通信、窄带物联网（NB-IoT）、光通信、北斗导航通信、微纳卫星星座等新一代信息网络关键技术与设备制造技术

1063 量子秘钥分发、量子光源、量子中继等量子保密通信核心技术及关键设备研发

1064 网络空间信息安全、物联网、工业互联网安全防护及保密关键技术

7．智能机器人

1071 多模态人机自然交互、通用机器人智能操作系统、机器人联邦学习等关键技术及软件

1072 人工触觉皮肤、高精度驱控一体化关节、新型精密减速器等机器人核心零部件制造及检测关键技术

1073 医疗及康复机器人、外骨骼机器人、足式行走机器人等服务机器人整机设计制造关键技术

1074 高精度重载机器人、先进工业机器人、特种作业机器人等工业机器人整机设计制造关键技术

8．增材制造

1081 记忆合金、金属间化合物、精细球形金属粉末、高性能聚合物等增材制造材料制备关键技术

1082 大功率半导体激光器、高精度阵列式打印头等增材制造关键设备设计制造技术

1083 4D打印、复合材料打印、移动式增材加工修复与再制造等增材制造先进加工工艺及关键设备制造技术

1084 面向制造领域的高效率、高精度、低成本、批量化增减材制造关键技术和设计制造软件系统

9．数据分析

1091 云存储、离散存储等海量数据存储管理技术

1092 高性能计算、云计算、边缘计算等核心技术

1093 数据挖掘、非结构数据自动分析、数据可视化等数据处理技术

1094 面向生产制造、能源管理、智能交通等场景的大数据应用软件及系统

10．先进能源

1101 高效低成本N型双面电池（TOPCon）和薄膜电池等新型高效太阳能电池及高可靠性低成本发电组件关键技术及工艺

1102 页岩气、核能、地热能、生物质能等新一代清洁能源关键技术

1103 可再生能源制氢、高效储氢加氢、安全用氢等关键技术

1104 能源互联网、微能量收集、新一代储能等关键技术

11．智能与新能源汽车

1111 辅助和无人驾驶、车路协同、智慧座舱、能源管理等智能化控制关键技术

1112 分布式驱动电机、混合动力驱动系统、固态激光雷达、车物互联（V2X）底层通信等关键技术及部件

1113 固态锂离子电池、固体氧化物燃料电池、氢燃料电池等高功率密度动力电池、高性能充电系统等关键技术及部件

1114 新能源汽车整车集成及轻量化设计及制造技术

二、关键核心技术攻关

本类项目重点支持高新技术优势产业发展所需的关键核心技术，为推动产业向中高端攀升提供技术支撑。

1．新材料

2011 高端光电子材料及先进显示材料制备与应用技术

2012 特种高分子、特种陶瓷、特种分离膜、金属有机框架（MOF）、生物可降解材料等新型功能材料制备技术

2013 高温合金、钛铝合金、海洋用钢、高端轴承钢、高性能纤维等新型结构材料制备技术

2014 新材料高通量计算方法及软件、高通量制备、表征及评价等材料基因组关键技术

2．电子信息

2021 国产操作系统和办公软件、工业控制软件、嵌入式软件等高端软件及硬件关键技术

2022 激光显示、Micro-LED等新型显示器件、工业级插件和连接器、有色金属氧化物（ITO）靶材等核心电子器件制备技术

2023 真空蒸镀机、高品质化学气相沉积（CVD）装置和湿法工艺等核心关键设备设计制造技术

2024 虚拟增强现实、数字媒体等先进数字文化科技关键技术

3．先进制造

2031 磁悬浮轴承、高端液压（气动）件、高精度密封件、微小型液压件等高性能机械基础件制造技术

2032 激光加工、精密铸造、高精度光学器件加工等先进制造工艺及装备制造技术

2033 高端数控机床、大吨位智能化工程机械、高精度智能装配装备、智能化大型海工装备、航空发动机等大型整机装备设计、控制软件及系统集成技术

2034 网络协同制造、按需制造、产品自适应在线设计等智能制造关键技术及软件系统

4．新能源与高效节能

2041 薄片化晶硅电池、钝化膜及钝化发射极、背面电池（PERC）等高性能低成本太阳能光伏关键技术

2042 10MW以上风电机组、低风速整机等先进风机关键技术

2043 大容量柔性输电、远距离特高压输电、大规模可再生能源并网与消纳等智能电网关键技术

2044 三废高效洁净处理及资源化利用、微界面反应、新型余废热高效利用等节能减排关键技术

5．安全生产

2051 安全生产信息化、灾害事故监测预警、危险气体泄漏检测及精准定位、生命探测等灾害预警侦测关键技术

2052 危险环境作业、安全巡检、应急救援等机器人，高机动救援成套化装备等安全生产智能装备制造技术

2053 便携式自组网通信终端、远距离透地通信及人员精准定位、井下水下远距离救援通信等应急救援通信关键技术

2054 危化品贮槽应急堵漏、危险气体泄漏安全环保处置、险恶环境灭火救援等灾害应急处置关键技术

6．其他非规划创新的关键核心技术

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半导体的核心技术大全11篇

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